报告摘要
■ 存储超级大周期，主流和利基价格全线上涨，预计26年维持供需偏紧的状态。
本轮存储价格自25Q2开始上涨，25Q3涨幅扩大，受AI推理需求爆发的驱动，25Q涨价幅度超预期，目前判断26年全年处于供需偏紧的状态。目前除了主流DRAM、NAN价格上涨外，利基存储DRAM、2D NAND(包括SLC、MLC NAND)和NOR Flash自25Q:全面涨价。存储超级大周期，驱动存储公司Q3开始盈利能力明显提升，预计随着后续继续涨价，盈利能力有望持续提升。
大陆情况：25Q3设计与模组业绩环比改善显著,模组公司均出现单季度利润拐点，时加大备库存。
重点分析了大陆15家存储板块公司25Q3财务情况，其中6家存储设计(兆易创新、北京君正、普冉股份、东芯股份、聚辰股份、恒烁股份),4家存储模组(江波龙、佰维存储、德明利、朗科科技),2家代理(香农芯创、中电港),1家封测(深技)、1家主控(联芸科技)和1家其他设计(澜起科技)。我们从营收、盈利能和存货角度进行重点分析。
1)营收：25Q3设计与模组大部分公司营收环增。2)毛利率：25Q3设计公司毛利表现分化，而受益于存储价格的上涨，模组公司Q3毛利率均大幅提升。3)净利率：设计公司净利率环比表现分化，大部分模组公司净利率环比提升。4)净利润：15家公司中12家公司盈利，其中设计公司净利润环比表现分化，模组公司大部分净利环比增长较快、部分公司扭亏为盈。5)存货：设计和模组板块存货逐步上升至历高位，模组公司存货大幅提升、加大备库。
海外情况：25Q3业绩普遍超预期、指引超预期，展望26年存储供需紧张。
重点关注12家海外存储厂商财报，包括7家主流存储IDM三星、海力士、美光、部数据、希捷、闪迪和铠侠，利基存储IDM华邦、旺宏和南亚，模组厂群联电子和庚刚，其中10家存储厂商25Q3业绩超市场预期，仅旺宏和铠侠业绩低于预期。
1)营收：25Q3收入均环比增长。2)毛利率&净利率：净利率普遍环增，毛利率仅日宏环比下降。3)净利润：25Q3环比均大幅增长，仅旺宏仍亏损。
4)展望：AI驱动存储需求高涨，供需紧张或至2026年。①主流存储：受AI驱动，大原厂展望服务器需求旺盛，消费电子需求稳定，AI PC与AI手机将贡献增量。DRAM新增产能有限，NAND扩产保守、主要通过制程升级增加供给，预计至2026年DRAM、NAND供给会持续紧缺。②利基存储：三大厂退出导致供给收缩，利基DRAM、SLC NAND等产能预计持续紧张，NOR Flash Q3开始也涨价。
投资建议：存储超级大周期，建议关注：
1)存储设计：兆易创新、东芯股份、普冉股份、澜起科技、聚辰股份、北京君正、恒烁股份等。
2)存储模组：江波龙、德明利、香农芯创、佰维存储、开普云、天山电子、时空科技、朗科科技等。
3)存储产业链：
代工及封测：晶合集成、汇成股份、深科技。
设备：拓荆科技、中微公司、北方华创、微导纳米、精智达、京仪装备、骄成超声、百傲化学等。
材料：安集科技、鼎龙股份、雅克科技、华海诚科、阿石创等。
风险提示：行业需求不及预期的风险、中美贸易摩擦加剧、研报使用的信息更新不及时的风险、报告中各行业相关业绩增速测算未剔除负值影响，计算结果存在与实际情况偏差的风险。
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