秦于子0dia批据，动年分立签件。动丰模块市场娓极曲202年的357化美元，姜缩至2024年的33亿美无，连十年年复合增长率为7.14,广又径下，2024年全廖动率三件《舍Sic)规极力530.6亿美光，2020-2024年复合增长率为36%。鸡者第三代丰导体材杆加追渗道，预汁20242029年间，全单动率器件有望维动8.4的年复合增长率至75.3亿美光。相对子年规虹动率平导体，功率半导体分立器件及模块的集中度偏任且枝为分数，C15占出在5以下，但修以外金主导，总头葵飞准市占年信定在20%左右，国内警代堂间相对收大。
中国学为全单放大的动率丰孕体道费国，贡献了势4Q区的动率本导体市场。郴据0mlia及中商产丝臂究院强剂，2023国内动率本导体市场蝇模的为1519.3亿光，2034年预计规模增长至17525亿无。
新旅酒率打开1EBT、Sic增长空间，面内车规组平寻体市占率有件挺叶：邪5PAuterat iv Saniondutor Treckber预剂，2034年地电压市场为110万量，预计2030年地也规模并增长至3200万量，年复合增长率的为20%,受丛于商压-高动率化。材件通代.SDV胆动，英飞凌预剂，V的平导体单车B0V将从2024年的羊车1300美光增长至2030年的1,650美元(高鸡车望或至2,500美元)。中国朝旅潭车出资量点比动续零升，占比超过50。国内车规饭动率本导体市占率与朗能潭年纳量产上敏大差异，全继车蝇饭本孕体市场娓模由2019年的372亿美光增长至2024年618亿美元。但是，当前车规援用动率丰导体集中度选高于动率本导体分立器件及模块。Top3分烈为英飞境，意法丰导体，德州仅器，市占率分别为29.20%.20105.1010%.
AI驱幼兆 城供电需求，aoov MDC牧榆于高怯能动率半导体材料；金球算力设合能耗随人工智能需来爆发大幅增长，其力设备是能托和模件效的重要来第，2024年-200年，AI卷片将为数据中心IT设备数或带来每年4590的断雪米，在数据中心新增的金年IT设备血载约占70%,主流A10刚蜂机柜玉从体死的1坦-51盾书升至30.以上，高鸡液岭机相甚至冲向10M。一森高密度AI服务器机柜便动率丰导体用耕虹高选1.2-1.5万美元，包指24只PSJ、36晚U长，旧绝唱V母成肺换帐，2900颗保护器件等。
特姚动率二杠管陷入“高动压m焦挺耗“两单：在动年05三件设计中，士穿电压阳动与特在道态电阻(Bm)的关系非常出切，其基本关系式为Em-5.93×10(BV)。高础压下抑制画电该，必缴蜂化丰孕体排杂冻度并增厚漂非区厚度，导致孕道也阻和王向压降监著叶高。咳化(Sic)是一叶典望的第三代丰导体时件，具有相对于吐(Si)蒸著重大的季致、重高的击穿场强和热季率等优梦
图内市场暖化吐渗选年更快，增系更为可观受丛子新能源汽车、做能及其他也力领路应用高遗增长，国内6英叶外延所曲219年的14万开增长至2加02年的18.B万所，复合增长率为互.8,增速高子网期全单6英叶站量的6.1%,弟法新排沙利文预剂，中国英叶纳量强计在202年达到103万所，202年至22年复合增道64%,同期全日英叶咳化址销量镪计为308.1万所，膜叶国内市场需水或占据33.45的份额，碗化硅外延所整体需本占全继市场份额的4%,
基于Ond ia数据，2023年功季分立器件、功季模块市场规模357亿美元，2024年葵缩至323亿美元，近十年年复合增长季为7.145.
广义口径下，2024年全球功率器件(舍SiG)规模为53.6亿美元：2020-2024年复合增长季为3.55%。随着第三代平导体材料加速渗透，预计2024-2029年间，全功季器件有望维持8.43%的年复合增长季至795.3亿美元。
第三代半导体材料保神高增长；新型宽禁带村料功季单导体赠速较高增速，咳化硅功季墨件2020-2024年期间复合赠长率为45.4;根据On ia,Yole预测，2024-
2029年金眼咳化硅功季器件市场或将保持39.%的复合增长季至136忆美元。
2024年全球功率半导体(分立器件及模块)未看，英飞凌市占率为首位，为20.8%;第二名安森美市占率为9.2%;中国企业士兰微市占率为3.3%,较2023年上升0.7pet.叱亚迪市占率持续提升，跃居至全球第七位。
相对于率规极功率半导体，功率半导体分立器件及模块的集中度偏低且校为分散，CR5占比在50%以下。但仍以外企主导，龙头英飞凌市占率稳定在20%左右，国内替代空间相对较大。
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