穿越周期，国产替代进入新阶段 根据 SEMI 的统计，半导体制造设备全球总销售额预计将在 2022 年 再次突破记录达到 1175 亿美元，比 2021 的 1025 亿美元增长 14.7%， 连续数年维持高速增长。近二十年间半导体设备的周期性正在减弱， 行业成长趋势加强。得益于各类电子终端的芯片需求，智能化，网联 化，AIOT 的发展，使产业链各方重新重视成熟制程的经济效益和发 展前景。同时我国晶圆代工厂和半导体设备企业在成熟制程领域的布 局逐渐完善，将受益于成熟制程的发展。
国产化率+产能扩幅+资本开支密度三重增速 根据我们测算，部分重点的内资晶圆厂（逻辑厂+存储厂+IDM）12 英 寸晶圆产能共计 77 万片每月，8 英寸晶圆产能共计 93.6 万片每月， 合计折合 8 英寸晶圆产能为 266.9 万片每月。根据现有规划统计，到 25/26 年，我国内资晶圆厂产能将达到 12 英寸共计 205.5 万片每月， 8 英寸晶圆产能共计 149 万片每月，合计折合 8 英寸晶圆产能为 540.75 万片每月。中短期 3-4 年的增量累计可达 273.9 万片 8 英寸 约当产能，平均每年对应约为 68.5~91 万片左右产能增量。这一增量 构成了庞大的晶圆代工的设备市场。预计将占据近几年全球扩产规模 的 40%左右的份额。2021 年整体国产化率仅在 10%左右，国产化率的 提升潜力巨大，随着制程的提升，整体的晶圆厂资本开支强度也同步 抬升。
先进制程及先进工艺探索持续推进 大陆代工厂均在朝着更高水平的制程代工的方向努力。中芯国际的 14nm，FinFET 工艺，应用的平台和客户不断增加，具备多元化和市 场竞争力，在矿机芯片领域具备一定市场份额。根据公司新闻公告， 长江存储的 Xtacking 技术业内领先，其原理是将外围电路置于存储 单元之上，在两片独立的晶圆上加工外围电路和存储单元，让 NAND 获取更高的 I/O 接口速度及更多的操作功能，从而实现比传统 3D NAND 更高的存储密度。现已实现了 128 层 NAND FLASH 的量产。根据 媒体科创版日报报道，合肥长鑫的产线已有 19 纳米（1X 纳米）的工 艺制程，正推进 17nm 工艺的量产，目前良率正在爬升。我国晶圆代 工厂在闪存，DRAM，逻辑等几大工艺平台均在产能和制程上同时突破。
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