·核心结论
2025年以来封装基板进入上行周期,2026-2027年供需缺口持续扩大。1)周期复盘:2019—2022H2全球基板短缺严重、供不应求;22H2开始随着需求端疲软+供给端激进扩张,全球载板进入阶段性衰退期;2026年以来综合欣兴电子、景硕科技、南电等法说会指引,封装基板行业已出现明显供不应求,欣兴电子等核心供应商ABF稼动率已达90%左右。2)未来需求:根据Prismark数据,全球载板市场在经历周期性波动后正加速回暖,2026年产值规模预计将同比稳健增长至161亿美元,对应出货量约为858亿颗。展望未来,我们认为下游存储超级周期推动BT载板增长,CPU、GPU高景气下ABF载板也将持续繁荣。以存储为例,根据我们测算,2025-2026年存储BT载板同比增速为30.0%、23.1%,对应全球存储封装基板市场175.41、215.84亿元。3)未来供给:封装基板扩产较慢,2.5-3年的扩产周期相比PCB更长,我们认为上一轮封装基板景气上行周期下海内外厂商在21-23年积极扩产,新增产能在24-25年密集释放;而本轮景气周期揖斐电、欣兴电子等头部厂商25H2至26年开始规划扩产,行业内大规模产能增量有望于2028-2029年释放,2026-2028年行业内新增产能有限,供不应求情况有望持续。上游Low-CTE布、ABF膜等持续紧缺,中游CoWoP、玻璃基板等齐头并进。
产业链上游:Low-CTE电子布与ABF膜是产业链紧缺的核心卡脖子环节。1)Low-CTE电子布:日东纺T-glass供不应求但资本开支节奏偏保守,新增产能预计需至2027年后方能实际落地;宏和科技、泰山玻纤等虽已具备合格的替代能力,但扩产+导入认证仍需时间,目前出货量仍处于较低水平,Low CTE玻璃布的结构性短缺态势将在未来持续演绎。2)ABF膜:日本味之素计划在2030年前将ABF产能提升50%,难以满足全球需求;国内华正新材CBF等已经进入小批量生产阶段,实现了零的突破。
产业链中游:由于ABF封装基板存在受热翘曲问题,未来CoWoP、玻璃基板、陶瓷基板等新技术方案有望成为有机ABF封装基板的替代方案。1)CoWoP:CoWoP模糊了PCB和基板的边界,实现了封装与PCB的一体化,在工艺上CoWoP要求供应商具备类载板SLP开发能力或掌握mSAP工艺经验。2)玻璃基板:在高密度互连、高频信号传输等应用中展现出独特优势,目前英特尔、三星、英伟达、AMD、台积电等全球半导体巨头正加速布局玻璃基板技术,其中台积电CoPoS中试线于6月全面建成并投入工艺验证,2026年有望成为玻璃基板进入小批量商业化出货的关键节点。3)陶瓷基板:陶瓷基板热导率可达到200 W/m·K,CTE与硅接近并具有更高的可靠性,嵌入HDI芯板可使热阻降低70%以上,实现热量垂直高效传导,陶瓷基板在未来高阶PCB领域大有可为。
投资建议:1)封装基板:建议关注深南电路(已覆盖)、兴森科技;2)封装基板上游材料:建议关注宏和科技、华正新材、中材科技(已覆盖);3)CoWoP:建议关注鹏鼎控股(已覆盖)、胜宏科技、沪电股份、景旺电子;4)玻璃基板:建议关注沃格光电、京东方、大族激光、帝尔激光;5)陶瓷基板:建议关注科翔股份、中瓷电子、国瓷材料。风险提示:技术创新的风险,封装基板新技术进展不及预期的风险,部分数据陈旧风险。
一、封装基板简介:分类方式多样,技术参数要求较高
IC封装基板是一种用于芯片封装的直接载体,其上层与晶圆颗粒(Die)相连,下层和印刷电路板相连,起着芯片与PCB之间电气连接的作用,同时也为芯片提供保护、支撑、散热等作用。与传统引线框架相比,IC封装基板由于能够实现将互连区域由线扩展到表面,缩短了芯片到引出端的距离,极大地提高了互连密度并缩小了封装体积。相较于普通PCB,IC封装基板在线宽/线距、板厚、制备工艺等多项技术参数上都要求更高。PCB板线宽/线距通常在50-100um之间,板厚通常在0.3-7mm之间,无法满足芯片封装的技术要求;HDI板线宽/线距通常在40-60um之间,板厚通常在0.25-2mm之间;IC封装基板线宽/线距在8-40um之间,板厚在0.1-1.5mm之间。IC封装基板主要可以通过基材种类、芯片与基板连接方式、封装形式进行分类。
根据基材种类划分:可分为无机基板和有机基板,根据越亚半导体招股说明书(申报稿),截至2025年有机封装基板的产值约占整个封装基板总产值的80%以上,其中又以刚性基板为主。根据芯片与基板连接方式:WB(引线键合)与FC(倒装)是两种主要的封装形式。
WB封装工艺利用热、压力、超声波能量使金属引线与芯片焊盘、基板焊盘紧密焊合,实现晶片与基板间的电气互连。FC封装工艺则是在晶圆和基板上制作Bump点(焊接点)采用焊球连接的方式,使晶圆电气面朝下直接同基板互连。相对于WB封装工艺,FC封装工艺更具先进性,封装的尺寸更小、IO密度更高、散热性和电气性能更为优越。

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