2025年中国半导体先进封装行业研究：后摩尔时代，先进封装引领半导体创新趋势.pdf

报告摘要

内部封装是指封装内部芯片与载体（引线框架或载板）之间的连接方式，载体则是芯片裸晶和印刷电路板（PCB）传递信号的管道。最常见的方式包括引线键合（WB, Wire Bonding）、载带自动焊（TAB, Tape Automated Bonding）及倒装封装（FC, Flip Chip），目前市场上应用最多的是引线键合（WB）和倒装封装（FC）；外部封装是指载体（引线框架或载板）与PCB间的连接形式，是我们肉眼可见的封装外形，例如QFP（四边扁平封装）、QFN（无引脚四方扁平封装）、BGA（球栅阵列封装）及LGA（触点阵列封装）等。内部封装和外部封装可根据需求组合成不同类型的封装形式，如WBBGA、FCBGA等。

在先进封装的四要素中，Bump用来取代传统封装中的引线键合，主要起几面电气互联和应力缓冲的作用，当前先进封装无一例外均使用了Bump工艺；RDL起着XY平面电气延伸的作用，Interposer（中介层，以硅为主）也发挥相似作用，主要应用于晶圆级封装和2.5D/3D封装技术；Wafer作为集成电路的载体以及RDL和TSV的介质和载体，在2.5D封装中用于制作硅基板，也在WLP晶圆级封装中作为承载介质，用于在晶圆级完成RDL、凸块等封装工艺；TSV起着Z轴电气延伸的作用，是2.5D/3D封装技术实现的主要途径。从技术推出时间前后及先进性程度来看，排序为Bump、RDL、Wafer、TSV。