●美光：G9 NAND为276层NAND Flash,为11.5×13.5mm的BGA封装尺寸，可减少28%的PCB面
积占用，支持3.6GBps的传输速度，较上一代NAND的存储密度提高了44%。
●铠侠/西部数据*(西部数据闪存业务于2025年2月21日完成分拆，现为闪迪SanDisk,下文亦
同):BiCS8218层NAND Flash采用横向微缩技术和CBA(CMOS直接键合到阵列)技术，存储密度提升超过50%,NANDI/O速度超过3.2GB/s,在写入性能和读延迟方面的改善超过20%。
●长江存储：NAND技术迭代至第四代晶栈Xtacking4.0,NAND延续背面源极连接(BSSC),采
用混合晶圆键合结构和20孔垂直通道设计，持续改善NAND生产效率并提高产量。
目前，三星、SK海力士均在执行300层以上NAND的量产计划，同时原厂均对W2W(Wafer-to-Wafer)双晶圆键合技术产生较大的应用兴趣。W2W混合键合技术，即在两片独立晶圆上分别加工存储单元和外围电路，再利用垂直互联通道(VIA)将两片晶圆键合在一起。存储单元和CMOS电路的解耦，为材料应用和研发带来更多空间，可选用的材料均一性和可靠性更好，有效克服了传统架构下NAND的高温工艺瓶颈和单元Cell数上升时阈值电压的稳定性问题。同时，键合的方式省去传统芯片连接中所需的“凸点”(Bump),高密度互连有效缩短了电路路径并改善散热。整体来看，NAND Flash混合键合技术的应用，有效提高了NAND Flash单位存储密度、存储性能和可靠性，并在量产环节提高了NAND生产效率，实现了解耦晶圆的模块化量产。
当前，混合键合技术已成为NAND Flash重要的技术发展方向，存储原厂持续通过优化架构和材料，克服超高层NAND Flash的量产挑战。据韩国媒体报道，三星电子与长江存储签署3D NAND混合键合专利的许可协议，计划从2025年下半年量产的V10 NAND开始，借助长江存储的3D NAND混合键合相关专利，将存储单元和控制电路分别在不同晶圆上制造后再键合。NAND Flash技术路径正在形成新的风向，各家存储原厂也需要经过一定时间，逐步攻克技术研发的挑战，从而更好地为数据中心HPC和端侧AI等应用提供高性能高容量的先进存储产品，以满足日益增长的存储需求。
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