我们粉选，导实体行业在面纳工的动术迁移，前先品体书迁移到工地/质直站构，后题完整的ID DR地垫，这书地态肺书许取导律的慢集外光制强度单来助的的老风，当#的者长趋相比
迁移 可能出液少动态L存版存储得的规租，时增加征尺寸，从面隔任极紫外形影强度，在过去，动态腾机存章存储器中爆加比密溪一直是通过意小惩尺寸0来实现的。自DLa节点以来，嘲小意味看极紫外光的情用和成本理加，这菱得过于早晋，因度，动态愿机存取存温得活燕正在板查从射的迁移副通过将晶体管登面梦置在动动愿机存健器单元中， 构邦态L存版存储器单元逐杉少80%,因此可以理加料只寸，美国平导体行业协会的防燕显示，4°的职用可能会将动态腿机停重存储器的4使尺寸更升1-2元，图即1166,影响：东京电子显示，能用4P可以将极紫外光列器城平；58每力士表示，迁移可以将极紫外光列城本障6P的一平，预门计迁移将在-20发生，得路动态隧机存取存储器的报彩外光出货量停泽，即便报紫外光第数少的假设牧为温科
*来迁移至DRAN可能消除对田UV的能用。开至4时重置了特征尺寸，因此也重置了BUV度本，9进一多小奶出寻路整尺寸更小且EUV本更高最终解决方案是单Eev,通过储单元发590夏然后登直难叠，DN此密渡可以通过增加席盐图不是略小深曼真，美纵于NPC,因此，相据Yk的动法，特惩尺寸可以重雪图-nm,遮有可能消际时EU的需救，鉴于EU进口的制，中国有强形的L开发eM尽管这是一个具有挑盐性的过源，并且不其可能在2030年代期之解发生，它是一个长期的者者不影忽相的T国胁，5门告计CBA班来来5年内占EUN思出货量的5-40%,如果不再需要，提失将是巨大的
ASL的最新发用志势程，8门对长料爆泽情志度，来解断拉，英特尔的报资订单，强的人工暂能需菜，以及58力士天得的高A设备，膨对ASML在1-2师内有科，,考虑态腾机存章存储器(9)的三维迁核，逻播报紧外光刻(BUV强度以及中国风险，T对长期射景持泽慎志质，要们的最新BUV根型DEU模)显示具烟长违漠在209年故理，影分原园是CRAN的迁移，邱ML的市盈率09已达的惰，已不再便，根版，三维迁移对光进封装它果用CBAR副星质堆叠，煤于CS⁰/原京电开以及性列瓦模(用于制选三维爆构，并受益于东京电子国旅和孵量平导体行业协会[ASM0 (未覆加)是积根的。
对于三星，海力士和美光来说，寡头里断螺构和供痘妃律将确深它门从现在聘00年代初板花从人工指能与数测程济中天，因为碌乏极紫外光技术阻止了中国为有效竞争者：在限之后，DRM将障性标系外光技术的重要性，恒这些公司多年来一直在研究LBAM,这一点体现在很久以解提交的专利中，#且曲于起多更早，它们在03年代初之后曼仍然比中国更具危争力。
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执行摘要
我们预计，陋著1d节点的HM,DeAM造中的EU强流将在202728年左右达即峰值，之品题看肉4的过通将开贿下陈。服长期束看，降精行业在下一十每转肉30 DBAM,EU强演可施由通一步下降.
在过去二十年间，动L存取存储器(980的比密演通过意小征尺寸来实现复升，每个惭节点需要更高的光列额，腾福在2022年过潭副a节点，内存奉商被通果用极紧外形到EU⁰设备以进一多哟征尺寸，而每帽峡节点都需要更多的eU译光。我门认为，在未来两刷三年内，DOAN唐漠将主要通过特征尺寸哪小来野，EU度预计在1d节点达副值，预T结计每品质需要七个EU.
BUV设备成本相真，所常设备数量的增加端内存新商号来了E大负担，与逻播相比，控制生产成本尤为重要，因，内韩商计加资单元泽构，不是解峡相动平面噬放，以减少U的钴彩，美纵于2004年左右8产 单元设计的转变， 的颗构变化将在不进一小特整尺寸09的所况下提升性能。及门5+4F2DM将在2028年左右在a节点进入早期生产，预计L设备出货量副2028年将从205年的-15增长斟-30,恒在十年*赶平格早管油He需求动的CRAN容量上升，恒每品EU译形次数减少将贷整体BUV需探持稳定，图).
量期4F2,动态腾机存取存2得奉造商正弱肉直晶体管莱构：三星称具为量直为道品体管VCT),晋 力士然具为直楷报0G),通过将晶体管直*置于电容器下方/上方，单元逐积可略小的9%,从而在不需要更小的光量的事况下提高比科密渡和电源始系，曲于密复升不再来自更释师的E家，因此可以减EU光次数，降怡工艺威私复染性。S8期力士已示，量期4F²,EU质本可能下隔高达50%,在重首后，隧后的4F2节点中BUV光次科再次速和上升，恒会延迅1-2
更长通的时间，在20的年之外，动态腾机存取存得预计将器腾7NANC的路程进人真正的三维推叠，其中多需单元将登直推告。在这种须种，可以通过增加防来提升密渡，不题感小登，从面大描少甚至消陈对报娇光的需热，星然这奶烯于早发阶最，恒发用方族明9:扩围的负报正从光5肉材科工框工艺，如馏烈，流相凝音。
总面之，ERAM意放正幅历三个：首光，一个以EUV密型平面站阶躁，达副节点；其次，过清副28构，城少EU光次数和成本，然后速彩再次上升；最后，进入一个更长的3DR阶躁，遮将允许批料密漠大幅略放，面无需更多BV嘴——或者可能完全消陈UV的描*0画2,图9。
动态师机存取存储器单元和罘构演进
A5刷 和
为了理编4F2和00陋N特型对年片品EW服光的粥响，有必回滑一下什么是B羊元，什么征尺寸取及选特型上相常什么
动才机存歌存储恐单元是动态存储中最小的存储单元，曲一个晶体管和一个电容器(一个1T-1C单元)超质。数十亿个这相的单元排列城一个幅的师列，其中晶体管作为动问设备，曲字线(ML)控制，电容器节点副位线BL),喜储的“1”嫩电容器的电商，而0”则对意没有电荷。尺寸0通前指面的一平”,而顾”是指平导体新选工艺能哪制建的两个帽影最近爆构之间的凝高，例如满个相影互连线之间的逐离。在态隧机存取存健恐单元中，面杉用F2表示，欣世代从0F2发用即22,需来发展新92,这种表示法实出了单元面漠不仅曲F的光嘲放，还曲星体管和电容器的排防式中的藻构都新定义，平面1T-IC量元的理论标用是42,曲一个学线0M)和一个位线0阻)酸点定义，橙直难叠一个品体管和一个电容器，在此标用以下，进一多减小单元尺时是不可能的，因为秀个ML之间的最短互商是游，酥题F,对于2个做也是如此。因此，可实现的单元最小尺寸是42,不是F20F2
从6F2近移酬F2
62单元藻构已成为行业标推近二十年，在900纳米世代重代了辍旧的2折叠恤炼单元，通过博动问品体管料肉置并引队理量字题构，每商凝哪少流责面E并更紧密地时装单元与2相比，这 了5%的有效密澳升，无需减，数F2列采用了开式位炼方案，其中每个uns大恩个相5的L共享，折叠以设计之同板衡了一些爆严能力，以奖更高的需演，晶体管设计本身也滴菱为理概与通阵列星体管0BCAT),它在不断哟小的节点上改著了蛙与道特性。凭亚这些改进，62单元已驱小哥今天的ub-15辆米Dla-DLd态随机存疗储器节点，然画，既鳞小楼肉特猛尺寸面临看严童的光到，电阳和电容用，这就是为什么存储器造商认6F2正骗近具标用，并正在准备过渡副2%构。
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