《2025MLED直显产业白皮书》（节选）.pdf

报告摘要

MLED 直显产业链技术密集，协同创新显著。上游核心瓶颈是芯片微缩化和巨量转移；中游封装技术路线（如C0B、MiP）融合互补，向集成化、全彩化发展；下游应用场景从专业显示加速渗透至消费电子、车载、穿戴等领域。产业链分为上中下游三部分。

上游是MLED 产业的技术源头和创新基础，核心在于Micro LED 芯片微缩化制造，尺寸已低于50μm 并向更小尺寸演进。巨量转移技术是量产核心瓶颈，追求高速、高精度和高良率，以实现芯片在驱动背板上的高效精准贴装。驱动技术方面，玻璃基（TFT）因高精度、高分辨率优势成为重要路线；

距显示的关键方案。MiP 技术先将Micro LED 芯片封装成独立器件再贴装，兼容传统工艺，降低Micro LED 成本。技术路线融合互补，如MiP-C0B 混合方案结合两者优点。全彩化方面，量子点色转换（QDC）技术用蓝色 Micro LED 激发量子点实现全彩，解决红光效率和巨量转移问题。驱动集成上，A-MiP 技术将AM 驱动IC 与RGB Micro LED 芯片集成在同一封装，解决 PM 驱动的频闪、低灰耦合问题，简化终端设计。