AI驱动存储涨价行情延续，长存长鑫本土产能扩张带动国产链机机遇.pdf

报告摘要

核心观点

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存储芯片：AI服务器需求驱动，预计26Q2 DRAM/NAND价格持续环比提升

26Q1存储芯片价格速递：据Trendforce数据，26Q1季度AI与数据中心需求持续加剧全球存储器供需失衡，原厂议价能力有增无减，估算一般型DRAM合约价环比提升93%~98%；估算NAND Flash 合约价环比提升85%~90%。

26Q2存储芯片价格展望：据Trendforce数据， AI服务器需求支撑2026年第二季度存储器合约价上行，预估一般型DRAM(Conventional DRAM) 合约价格仍将季增58-63%，预计NAND Flash合约价格将季增70-75%。

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存储供给未来周期图更新：存储供给侧各原厂积极扩产HBM，2026年资本开支预计高于原计划美光：2026财年的资本支出预计大幅上调至250亿美元以上。

SK海力士：2026年资本支出预期同比增幅超40%。

三星：2026年预期资本支出约400亿美元，半导体支出同比增加20%。

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国内存储制造端进展：长江存储、长鑫存储均开启IPO进度条，未来产能计划持续扩张长江存储：开启上市辅导备案，产能持续提升。当前公司合计月产能约20万片，核心扩产项目武汉三期工厂为武汉集成电路产业第三个千亿级项目，原计划2027年量产，现提前至2026年下半年量产，新增月产能10万片12英寸晶圆，达产后总月产能将提升至30万片。公司还规划再建两座全新晶圆厂，项目全部落地后晶圆总产长鑫存储：IPO恢复审核，指引单季利润环比持续高增。长鑫科技现有合肥一期、合肥二期及北京三条12英寸生产线，长鑫拟募资295亿元，其中75/130/90亿元分别投向量产线技术升级改造/DRAM技术升级/动态随机存取存储器研发，预计2026年现有三厂产能全部达产。

资料来源：Trendforce，美光，SK海力士，三星，长江存储，长鑫存储，长城证券产业金融研究院